veröffentlichen Zeit: 2023-04-29 Herkunft: Powered
Eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit hängt hauptsächlich von neuen Materialien mit hervorragender Leistung ab.Die Betriebstemperatur elektronischer Produkte hat großen Einfluss auf deren Effizienz und Lebensdauer.Einschlägige Studien haben gezeigt, dass sich die Lebensdauer elektronischer Produkte exponentiell verkürzt, wenn sie bei höheren Temperaturen arbeiten.Daher haben neue Materialien mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit eine wichtige praktische Bedeutung und Forschungswert.
Ein ideales wärmeleitfähiges Material muss eine hohe Wärmeleitfähigkeit, einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, eine ausreichende mechanische Festigkeit und niedrige Kosten aufweisen.Herkömmliche Wärmeleitmaterialien lassen sich nach ihrer Zusammensetzung in keramische Wärmeleitmaterialien, polymere Wärmeleitmaterialien und metallische Wärmeleitmaterialien einteilen.
CTCM hat eine hohe Kompaktheit, einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine hohe mechanische Festigkeit.Übliche CTCMs umfassen hauptsächlich Al2O3, SiC, BeO und AlN.Seine thermischen Eigenschaften sind in Abbildung 1 dargestellt. Obwohl CTCM einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten hat, ist seine Wärmeleitfähigkeit ebenfalls gering.Darüber hinaus ist die Verarbeitung und Formgebung von Keramik schwierig, was die breite Anwendung von CTCM einschränkt.
PTCM hat eine gute Abdichtung, geringe Dichte, gute Verarbeitbarkeit und niedrige Produktionskosten.Das gebräuchlichste PTCM ist Epoxid, dessen thermische Eigenschaften in Abbildung 1 dargestellt sind. PTCM hat eine geringe Wärmeleitfähigkeit, einen großen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine geringe Stabilität.Daher können wärmeleitfähige Polymermaterialien die Anforderungen einer hohen Wärmeleitfähigkeit nicht erfüllen und können im Allgemeinen auf Verpackungsmaterialien angewendet werden, die keine hohe Wärmeleitfähigkeit erfordern.
Der Grund, warum die Wärmeleitfähigkeit von MTCM im Allgemeinen höher ist als die von Polymeren und Keramiken, liegt darin, dass in Metallen eine große Anzahl freier Elektronen vorhanden ist, die die Wärmeübertragung beschleunigen können.MTCM ist einfach zu verarbeiten und kostengünstig.Übliche MTCMs umfassen Kupfer, Aluminium, Silber usw., und ihre thermischen Eigenschaften sind in Abbildung 1 dargestellt. MTCMs haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit, aber die Diskrepanz zwischen ihren Wärmeausdehnungskoeffizienten und Halbleitern schränkt ihre Anwendungen ein.
Gegenwärtig können herkömmliche wärmeleitende Einkomponentenmaterialien die Anforderungen elektronischer Produkte nach hoher Wärmeleitfähigkeit und niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten nicht mehr erfüllen.Das wärmeleitende Metallmatrix-Verbundmaterial hat die Vorteile sowohl der Metallmatrix als auch der Verstärkungsphase und hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, einen einstellbaren Wärmeausdehnungskoeffizienten und gute mechanische Eigenschaften.Daher hat es immer mehr Aufmerksamkeit von Forschern auf sich gezogen.
Verbundwerkstoffe aus Diamant und Kupfer vereinen die ultrahohe Wärmeleitfähigkeit von Diamant mit den niedrigen Kosten, der einfachen Verarbeitung und der hohen Wärmeleitfähigkeit einer Kupfermatrix.Es hat einen großen potenziellen Wert bei der Anwendung von Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit und ist zu einem Hot Spot in der Erforschung von Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit geworden.Die Grenzflächenbindung zwischen Diamant und Kupfer ist jedoch im Allgemeinen schlecht.Selbst geschmolzenes Kupfer benetzt Diamant kaum.Das Vorhandensein von Hohlräumen an der Dia/Cu-Grenzfläche führt zu einer geringeren Wärmeleitfähigkeit als bei reinem Kupfer ohne angelegten Hochdruck (≥1 GPa).Daher ist das Grenzflächenproblem in den Mittelpunkt der Forschung zu Dia/Cu mit hoher Wärmeleitfähigkeit gerückt.
Die Herstellungstechnologien von Diamant-Kupfer-Verbundwerkstoffen umfassen hauptsächlich Hochtemperatur-Hochdrucksintern (HTHP), Vakuum-Heißpresssintern (VHPS), Funken-Plasma-Sintern (SPS) und Schmelzinfiltration usw.
Das Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren (HTHP) ist ein Verfahren zum Füllen des gemischten Pulvers in eine Form und Herstellen eines Verbundmaterials in kurzer Zeit unter Einwirkung von hoher Temperatur und hohem Druck.Unter Einwirkung von hoher Temperatur und hohem Druck kann das Pulver leichter fließen, Stoff übertragen und diffundieren.Seine Sinterzeit ist kurz und das hergestellte Material hat eine hohe Dichte.
Die Wärmeleitfähigkeit des durch das Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren hergestellten Diamant/Kupfer-Verbundmaterials ist so hoch wie 920 W/(m·K), und die schwierige Benetzbarkeit von Diamant und Kupfer bei hoher Temperatur und hohem Druck wird verbessert.Dies liegt an der sekundären Keimbildung und Rekristallisation von Diamant, um ein Diamant-Diamant-Skelett zu bilden.
Das durch Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren hergestellte Diamant/Kupfer-Verbundmaterial hat eine hohe Dichte, und das gebildete Diamantskelett ist hilfreich für die Wärmeleitung.Aber HTHP ist sehr anspruchsvoll für die Form.Die geringe Größe und die hohen Kosten der präparierten Proben erschweren derzeit eine breite Anwendung.Verglichen mit dem Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren ist die Vakuum-Heißpress-Sinteranlage einfach.Seine Formanforderungen sind gering und die Größe des gesinterten Produkts ist größer.
Das Vakuum-Heißpresssintern (VHPS) gehört zu den pulvermetallurgischen Verfahren.Das Verbundmaterial wird hergestellt, indem das gemischte Pulver in die Form gegeben wird und im Vakuum-Heißpressofen den Prozess des Erhitzens, Druckbeaufschlagens, Haltens des Drucks, Abkühlens, Entformens usw. durchläuft.Die Vakuum-Heißpress-Sinteranlage besteht aus drei Teilen: Vakuumsystem, Druckbeaufschlagungssystem und Heizsystem.Das schematische Diagramm der Ausrüstung ist in Abbildung 2 dargestellt.
Vakuum-Heißpresssintern hat den Vorteil, dass es während des Sinterns thermische Spannungen erzeugt.Und die Zusammensetzung des Verbundmaterials ist leichter zu kontrollieren.VHPS ist jedoch durch die Form begrenzt, und ihr Druck liegt im Allgemeinen unter 100 MPa.Die Verbesserung des Bindungsgrades der Kupfer-Diamant-Grenzfläche ist begrenzt, was eine hohe Kontrolle der Sinterparameter und der Auswahl und Zugabe aktiver Elemente erfordert.Die Herstellungseffizienz von VHPS ist ebenfalls gering, und es ist eine Herausforderung, Dia/Cu mit hervorragenden thermischen Eigenschaften herzustellen.Im Vergleich zum Vakuum-Heißpress-Sinterverfahren ist das Spark-Plasma-Sintern ein neues, schnelles und effizientes Verfahren zur Herstellung von Verbundwerkstoffen.
Funkenplasmasintern (SPS) ist ein Verfahren zum Sintern von Pulver unter der kombinierten Wirkung von Impulsstrom und axialem Druck durch das Plasma, das durch sofortige Funkenentladung erzeugt wird.Seine Ausstattung ist in Bild 3 dargestellt. Durch die gleichmäßige Verteilung der Funkenentladungspunkte beim SPS-Sintern wird die Probe gleichmäßig erhitzt und schnell diffundiert.Das hergestellte Material ist gleichmäßig und dicht und eignet sich zum Sintern von Verbundmaterialien, die schwer zu verdichten sind.
Funken-Plasma-Sintern erwärmt und kühlt schnell ab.Die Sintertemperatur ist relativ niedrig und der Wirkungsgrad hoch.Normalerweise beträgt die Sintertemperatur von Dia / Cu 800 ~ 970 ℃, was den Schmelzpunkt von Kupfer nicht überschreitet.Sinterformen in diesem Temperaturbereich sind in der Regel Graphitformen.Die Bruchfestigkeit der Graphitform beträgt weniger als 100 MPa.Daher beträgt der Sinterdruck im Allgemeinen 50–80 MPa.In diesem Sinterdruckbereich ist es für den Verbundstoff schwierig, vollständig dicht zu werden.Hohlräume im Material erhöhen den Wärmewiderstand und verringern die Wärmeleitfähigkeit von Dia/Cu.Daher sollte die zukünftige Forschungsrichtung von Diamant/Kupfer-Verbundwerkstoffen, die von SPS vorbereitet werden, die Entwicklung und Auswahl von hochtemperaturbeständigen und hochfesten Schleifwerkzeugen umfassen.Kontrollieren Sie die Grenzflächenzusammensetzung und Grenzflächendicke während des Sinterns und untersuchen Sie das thermische Verformungsverhalten von Diamant/Kupfer-Verbundwerkstoffen, um die Kompaktheit von Verbundwerkstoffen zu verbessern.
Das Schmelzinfiltrationsverfahren (Infiltration) ist ein Verfahren, bei dem die in einen geschmolzenen Zustand erhitzte Matrix in den Spalt der Verstärkung mit einem höheren Schmelzpunkt infiltriert und dann abgekühlt und verfestigt wird, um ein Verbundmaterial herzustellen.Der Zwischenraum der Bewehrung ist der Volumenanteil der Matrix.Die Infiltration kann in drucklose Infiltration (Pressureless Infiltration, PLI) und Druckschmelzinfiltration (Pressure Infiltration, PI) unterteilt werden.
Die drucklose Schmelzinfiltration (PLI) bezieht sich auf das Verfahren zur Herstellung von Verbundmaterialien durch Infiltrieren der geschmolzenen Matrix in die Poren der Verstärkungsvorform, wobei hauptsächlich auf Kapillarkraft ohne äußere Kraft zurückgegriffen wird.Dieses Verfahren verwendet im Allgemeinen ein Bindemittel, um eine Vorform aus Diamant herzustellen, und platziert dann Kupfer oder eine Kupferlegierung auf der Oberseite der Vorform.Erhöhen Sie die Temperatur über die Liquiduslinie von Kupfer oder Kupferlegierung (etwa 1200°C) in einer Gasatmosphäre.Die Kupfer- oder Kupferlegierungsschmelze infiltriert spontan die Vorform, um einen Diamant/Kupfer-Verbundstoff zu bilden.
Der drucklose Infiltrationszustand ist einfach.Die Bedienung ist bequem und am einfachsten zu realisieren.Allerdings ist die Anforderung an die Benetzbarkeit zwischen der Matrix und der Verstärkungsphase hoch, und das während der Herstellung des Vorformlings hinzugefügte Bindemittel kann nicht vollständig entfernt werden, was die Wärmeleitfähigkeit der Matrix verringert und den Wärmewiderstand der Grenzfläche erhöht.Wenn der Volumenanteil von Diamant hoch ist, kann das geschmolzene Kupfer die Lücken von Diamant nicht spontan vollständig füllen, während das Druckschmelzinfiltrationsverfahren das Füllen der Lücken durch die Schmelze durch äußeren Druck fördern kann.
Druckschmelzinfiltration (PI) bezieht sich auf das Verfahren, bei dem eine äußere Kraft hinzugefügt wird, um die Infiltration zu fördern, und sich unter Druck verfestigt, um Verbundmaterialien während des Infiltrationsprozesses herzustellen.Im Vergleich zur drucklosen Infiltration erfordert die Herstellung von Dia/Cu durch Druckinfiltration eine kürzere Zeit und eine höhere Effizienz, und das hergestellte Dia/Cu hat eine höhere Dichte.
Die Druckinfiltration ist ein relativ komplexer Prozess.Die Vorbereitung des Verstärkungsvorformlings, das Aufschmelzen der Matrix, der Gasfluss während des Infiltrationsprozesses und die Verfestigung der Matrix haben einen großen Einfluss auf die Eigenschaften der Probe.Dieses Verfahren stellt höhere Anforderungen an das Design der Graphitform, die Kontrolle der Sinterparameter und die Auswahl der Sinterausrüstung.Gleichzeitig ist Diamant bei Raumtemperatur ein metastabiler Kohlenstoffzustand.In einer Hochtemperaturumgebung (> 900 °C) tritt leicht eine Graphitisierungsumwandlung auf.Daher ist, während die Grenzflächenbindung sichergestellt wird, die effektive Reduzierung der Reaktionstemperatur der Schlüssel zur Herstellung von Dia/Cu mit hervorragenden umfassenden Eigenschaften.
Die Wärmeleitfähigkeit der durch die verschiedenen oben beschriebenen Herstellungsverfahren erhaltenen Verbundstoffe ist in Fig. 4 gezeigt. Es ist ersichtlich, dass die durch Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren und Druckschmelzinfiltrationsverfahren hergestellten Verbundmaterialien eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen.Dies zeigt, dass, egal welches Verfahren zur Herstellung von Verbundwerkstoffen mit hoher Wärmeleitfähigkeit verwendet wird, es untrennbar mit dem entsprechenden Druck verbunden ist.Vakuum-Heißpresssintern und Spark-Plasma-Sintern sind jedoch durch die Druckfestigkeit der Form bei der Herstellung von Verbundmaterialien begrenzt, was ihre Wärmeleitfähigkeit relativ niedrig macht.Die Entwicklung und Auswahl von hochtemperaturbeständigen und hochfesten gesinterten Schleifmitteln wird eine der zukünftigen Forschungsrichtungen für Vakuum-Heißpresssintern und Spark-Plasma-Sintern sein.Die oben beschriebenen verschiedenen Techniken zur Herstellung von hochwärmeleitfähigem Dia/Cu haben ihre eigenen Vor- und Nachteile.
Das Problem der hohen Grenzflächenenergie und der schlechten Benetzbarkeit zwischen Diamant und Kupfer verschlechtert ernsthaft die Wärmeleitfähigkeit von Dia/Cu, während es seine mechanischen Eigenschaften verringert.Der Schlüssel zur Verbesserung der Leistung von Dia/Cu liegt in der Optimierung der Grenzflächenbindung, der Verringerung von Grenzflächenhohlräumen und der Verringerung des Wärmewiderstands der Grenzflächen.Gegenwärtig geht es zusätzlich zu den oben erwähnten verschiedenen Sinterverfahren darum, eine Übergangsschicht an der Dia/Cu-Grenzfläche einzubringen, die eine gute Fähigkeit hat, sich sowohl mit Diamant als auch mit Kupfer zu verbinden.Die üblicherweise verwendeten Verfahren sind das Legieren der Kupfermatrix und das Metallisieren der Diamantoberfläche.
Beim Legieren mit Kupfermatrix wird Kupfer mit einer kleinen Menge aktiver Elemente (wie Ti, B, Cr, Zr usw.) dotiert, um die Benetzbarkeit der Dia/Cu-Grenzfläche zu verbessern und die Grenzflächenbindung zu optimieren.Die Hauptmethoden zum Legieren von Kupfersubstraten umfassen Legierungsschmelzen (AS), Gaszerstäubung (GA) und so weiter.Alloy Smelting (AS) ist ein Prozess, bei dem Metalle und Zusatzstoffe in einem Heizofen geschmolzen werden, um physikalische und chemische Veränderungen zu erfahren und Legierungen zu bilden.
Die durch das Legieren der Kupfermatrix eingeführten Legierungselemente können eine Carbid-Übergangsschicht auf der Diamantoberfläche bilden, die Benetzbarkeit von Dia/Cu verbessern, den Grenzflächenspalt füllen, die Grenzflächenbindung optimieren und die thermische Leistung verbessern.Die Dicke der Carbidschicht kann durch die Dotierungsmenge aktiver Elemente gesteuert werden.Wenn jedoch die verschiedenen hinzugefügten carbidbildenden Elemente in der Matrix verbleiben, erhöhen sie die Phononenstreuung während der Wärmeübertragung und verringern die Wärmeleitfähigkeit der Kupfermatrix, wodurch die Wärmeleitfähigkeit von Dia/Cu verringert wird.
Daher sollten bei der Auswahl von Dotierungslegierungselementen zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit Elemente ausgewählt werden, die leicht durch Diamant karbonisiert werden können und eine gute Benetzbarkeit mit Kupfer aufweisen.Achten Sie darauf, eine schlechte Wärmeleitfähigkeit zu vermeiden.Gleichzeitig mit der Diffusion der ernsthaften Elemente in die Matrix sollte darauf geachtet werden, die Menge an Legierungselementen zu kontrollieren.Dadurch wird die Karbidschicht dünn und gleichmäßig, um den Wärmewiderstand der Grenzfläche zu verringern, wodurch die Unterbrechung der Karbidschicht vermieden wird, die durch zu geringe Zugabe von Legierungselementen, eine zu dicke Übergangsschicht verursacht durch zu viel Zugabe oder zu viel Rückstand in der Kupfermatrix verursacht wird. usw. Frage.Im Vergleich zu ACM ist die Diamantoberflächenmetallisierung die Vorbehandlung von Diamant vor dem Sintern, wodurch das Problem der Verringerung der Dia/Cu-Wärmeleitfähigkeit durch unzureichende Legierungselemente oder Rückstände in der Kupfermatrix wirksam verhindert werden kann.
Die Diamantoberflächenmetallisierung (MDS) ist der Prozess der Vorbehandlung von Diamant, um die Diamantoberfläche mit Elementen reagieren zu lassen, die leicht mit Kohlenstoff reagieren können (wie Ti, W, Cr, Mo usw.), um ein kontinuierliches dichtes Karbid zu bilden und aktive Elementbeschichtung.Zu den MDS-Methoden gehören stromloses Plattieren (EP), Ionenstrahlsputtern (IBS), Magnetron-Sputtern (MS), Vakuummikroverdampfungsplattieren (VMEP), pulverbeschichtetes Sintern (PCS), Salzbadbeschichtung (SBC) und Sol-Gel-Beschichtung (SGC). ), usw.
Stromloses Plattieren (EP) ist ein Verfahren zur Kontrolle der Metallabscheidung auf der zu plattierenden Oberfläche durch Verwendung einer chemischen Reduktionsreaktion in Abwesenheit einer externen Stromquelle und der Wirkung eines stark reduzierenden Katalysators (Ni, Co usw.).Vor der EP wird die Diamantoberfläche im Allgemeinen durch Reinigen, Katalysieren, Ätzen, Sensibilisieren und Aktivieren vorbehandelt.
Beim Ionensputtern (IBS) wird eine kleine Menge Inertgas oder Luftmoleküle in einen Vakuumbehälter eingebracht, um unter Einwirkung eines elektrischen Feldes ionisiert zu werden.Das von ihm erzeugte Plasma beschießt die Oberfläche des Metalltargets, sputtert die Targetatome heraus und lagert sie auf der Diamantoberfläche ab.Die durch das Ionenzerstäubungsverfahren hergestellte Filmschicht haftet leicht an der Diamantoberfläche.Es ist jedoch auch besonders einfach, Ionen in die Filmschicht zu bombardieren, um ihre Leistung zu beeinträchtigen.Es gibt nur wenige Studien zur Verwendung von Ionensputtern zum Beschichten der Diamantoberfläche.
Das Prinzip des Magnetron-Sputterns (MS) ist im Grunde dasselbe wie das Ionen-Sputtern.Das durch das Magnetron-Sputtern eingeführte Magnetfeld kann jedoch die Bewegung von Elektronen in der Nähe des Kathodentargets steuern.Dadurch werden mehr Gasionen ionisiert, um das Ziel zu bombardieren, was die Effizienz erhöht und gleichzeitig verhindert, dass die Ionen die Diamantoberfläche bombardieren.
Die Metallisierung der Diamantoberfläche durch Sputtern ermöglicht eine genaue Steuerung der Dicke der resultierenden Beschichtung.Die Verteilung der Filmschichten auf jeder Oberfläche der erhaltenen Diamantpartikel ist jedoch nicht gleichförmig.Um die Verbindung der Beschichtung und des Diamanten sicherzustellen, ist es im Allgemeinen notwendig, den gesputterten Diamanten in einem Vakuumofen (Atmosphärenofen) zu behandeln.Der Diamant reagiert mit der Beschichtung, um Karbide zu bilden.Die Reaktionstemperatur und -zeit müssen genau kontrolliert werden, was die Schwierigkeit erhöht, die Zusammensetzung und Dicke der Oberflächenübergangsschicht genau zu kontrollieren.
Vakuummikroverdampfung (VMEP) ist ein Prozess, bei dem die verdampften und entwichenen Atome des Metalls in einem Vakuumbehälter erhitzt werden, um mit der Diamantoberfläche zu reagieren und zu einem Film zu kondensieren.
VMEP hat die Vorteile eines einfachen Verfahrens, einer leichten Kontrolle der Bedingungen, einer hohen Filmbildungsreinheit, einer guten Gleichmäßigkeit, einer relativ niedrigen Beschichtungstemperatur, einer geringen Beschädigung und niedrigen Kosten.Dies gilt auch für die Beschichtung von Karbidbildnern wie W, Ti, Cr, Mo usw. VMEP-Geräte sind jedoch komplex.Bei der Kombination mit Kupfer entstehen Grenzflächendefekte, die die thermischen Eigenschaften des Materials beeinträchtigen.
Pulverbeschichtetes Sintern (PCS) ist ein Prozess, bei dem Metall oder Metallverbindungen direkt mit Diamantpartikeln gemischt und in einem Vakuum- oder Hochtemperaturofen einer Diffusionsreaktion unterzogen werden, um eine Carbidschicht zu bilden, die auch als Diffusionsbeschichtung bekannt ist.
Die Wärmeleitfähigkeit von Diamant/Kupfer-Verbundwerkstoffen, die mit verschiedenen Methoden zur Grenzflächenregulierung hergestellt wurden, die in diesem Artikel beschrieben sind, ist in Abbildung 5 dargestellt. Die Wärmeleitfähigkeit von Dia/Cu hängt eng mit der Methode der Grenzflächenregulierung und der Art der Beschichtungselemente zusammen.Unabhängig vom Prozess der Grenzflächenregulierung haben karbidbildende Elemente (Ti, B, Cr, Zr, W, B, Mo usw.) das Potenzial, die Wärmeleitfähigkeit von Dia/Cu zu verbessern.Die durch die Reaktion dieser Elemente mit der Diamantoberfläche gebildete Übergangsschicht kann die Benetzbarkeit und Bindung der Dia/Cu-Grenzfläche verbessern und die Wärmeleitfähigkeit erhöhen.
Die tatsächliche Wärmeleitfähigkeit von Diamant/Kupfer-Verbundwerkstoffen ist jedoch im Allgemeinen kleiner als der theoretische Wert.Dies liegt hauptsächlich daran, dass die Grenzflächenbindung von Dia/Cu in der tatsächlichen Produktion nicht den Idealzustand erreicht hat.Die Zusammensetzung, Kontinuität und Dicke von Carbiden wurden nicht genau kontrolliert.
Das Diamant/Kupfer-Verbundmaterial hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der dem von Halbleitermaterialien entspricht.Es hat breite Anwendungsperspektiven in den Bereichen Militärindustrie, integrierte Schaltkreise, 5G-Kommunikation und neue Energiefahrzeuge.
Zukünftige Forschung zu Diamant/Kupfer-Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit sollte sich auf die folgenden Aspekte konzentrieren.
(1) Erforschung der Diamantskelettstruktur unter Hochtemperatur- und Hochdruckbedingungen.Der Anpassungsprozess stellt sicher, dass die Diamanten nicht graphitisiert werden, und gleichzeitig können die Diamanten wieder vereint werden, um Bindungen zu bilden, wodurch effizientere Diamant-Wärmeleitungskanäle gebildet werden, um die Wärmeleitfähigkeit des Verbundmaterials zu verbessern.
(2) Fokus auf die Forschung zum Thema Überplattieren.Ungeachtet des Herstellungsverfahrens ist die Überzugsschicht sehr wichtig, um die Wärmeleitfähigkeit des Verbundmaterials zu verbessern.Die Überzugsschicht zwischen Diamant und Kupfer sollte durchgehend, dicht, dünn und gleichmäßig sein und einen geringen thermischen Widerstand aufweisen.
(3) Designoptimierte Verbundwerkstoffe im Mikro-Nano-Maßstab.Aufdecken des Wirkungsmechanismus und Einflussgesetzes verschiedener Faktoren (insbesondere Grenzflächenbindung) auf die Wärmeleitfähigkeit von Verbundwerkstoffen im Nanometerbereich.
(4) Die Produktionskosten sind ebenso wichtig.Die Wärmeleitfähigkeit der beschriebenen Diamant/Kupfer-Verbundstoffe war der Anwendung weit voraus.Der Hauptgrund ist die Kostenfrage.In Zukunft sollte darauf geachtet werden, wie Rohstoffe und Geräte in Industriequalität verwendet werden, um hochleistungsfähige Wärmeleitmaterialien herzustellen.
Lötplatte Kupferrohrplatte Flammenschweißplatte. Reibschutzschweißplatte